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Simens/EUPEC IGBT 命名系统
来源: | 作者:pmo9f5254 | 发布时间: 400天前 | 686 次浏览 | 分享到:
Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称,有某些公司的IGBT是Tc=20°C的标称,敬请广大用户注意!
BSM100GB120DN2K
BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块
BYM--------------二极管模块
100-----------Tc=80°C时的额定电流
 GA-------- 一单元模块
 GB----------两单元模块(半桥模块)
 GD----------六单元模块
 GT----------三单元模块
 GP----------七单元模块(功率集成模块)
GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)
GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)
120-------额定电压×10
 DL------低饱和压降
DN2----高频型
DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降
    BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后,EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块,即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon(英飞凌)100%子公司后,所有IGBT模块均按EUPEC  IGBT命名系统来命名
FF400R12KE3 
FZ------------ 一单元模块
FF--------------两单元模块(半桥模块)
FP--------------七单元模块(功率集成模块)
FD/DF------------斩波模块
F4---------------四单元模块
FS---------------六单元模块
DD---------------二极管模块
400-------------Tc=80°C时的额定电流
R------------逆导
S-------------快速二极管
12-----------额定电压×100
KF---------高频型(主要在大模块上使用)
KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)
KS--------短拖尾高频型
KE--------低饱和压降
KT--------低饱和压降高频型


二  Simens/EUPEC SCR 命名系统: 
T 930 N 18 T M C
T----------------------晶闸管
D----------------------二极管
930-----------------平均电流
0-----------------标准陶瓷圆盘封装
1-----------------大功率圆盘
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光触发型 
N-----------------相控器件
F---------------居中门极型快速晶闸管
S---------------门极分布式快速晶闸管 二极管 
18 ----------耐压×100 
B--------引线型
C-----------------焊针型
E-----------------平板式
T-----------------圆盘式
M -------------关断时间(A、B、C、D等表示关断时间)
C ----关断电压斜率(B、C、F等)
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------双晶闸管结构  
DD----------------------双二极管结构
TD/DT------------------- 一个二极管&一个晶闸管
430-------------------平均电流
N------------------相控器
F-------------------居中门极型快速晶闸管
S-------------------阴极交错式快速晶闸管
22--------------耐压×100
K-----------模块
O---------关断时间
F -----断电压斜率

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